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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
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Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
49
Intorno -53% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.7
10
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
32
Velocità di lettura, GB/s
10.0
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2116
2854
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
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G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
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