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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Confronto
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Punteggio complessivo
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
21.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,036.1
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
75
Intorno -103% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
75
37
Velocità di lettura, GB/s
3,986.4
21.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,036.1
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
714
3448
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M4A2666C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
SK Hynix HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
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