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Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
比較する
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
総合得点
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
総合得点
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
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読み出し速度の高速化、GB/s
3
21.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
2,036.1
14.3
テスト平均値
考慮すべき理由
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
37
75
周辺 -103% 低遅延
より高いメモリ帯域幅、mbps
19200
6400
周辺 3 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
75
37
読み出し速度、GB/s
3,986.4
21.4
書き込み速度、GB/秒
2,036.1
14.3
メモリ帯域幅、mbps
6400
19200
Other
商品説明
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
714
3448
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
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