RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сравнить
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB против ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Средняя оценка
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
21.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,036.1
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
75
Около -103% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,986.4
21.4
Скорость записи, Гб/сек
2,036.1
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
714
3448
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Jinyu CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Teikon TMA41GU6AFR8N-TFSC 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston XJV223-MIE 16GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FB 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link