RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сравнить
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB против ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Средняя оценка
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
21.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,036.1
14.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
75
Около -103% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
37
Скорость чтения, Гб/сек
3,986.4
21.4
Скорость записи, Гб/сек
2,036.1
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
714
3448
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link