RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Comparar
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB vs ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Pontuação geral
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Pontuação geral
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
21.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,036.1
14.3
Valor médio nos testes
Razões a considerar
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
37
75
Por volta de -103% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
75
37
Velocidade de leitura, GB/s
3,986.4
21.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,036.1
14.3
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
714
3448
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Comparações de RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB Comparações de RAM
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston HP26D4S9S8MHF-8 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.D1GMM.AU10B 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link