RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
28
Intorno 4% latenza inferiore
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
28
Velocità di lettura, GB/s
11.8
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
2932
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Corsair CM2X1024-8500C5 1GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2933C19 32GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 99U5402-052.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Transcend Information JM3200HLE-16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V2D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C14 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link