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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
27
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.6
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
26
Velocità di lettura, GB/s
11.8
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
11.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
2808
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14M 8GB
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