RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
63
Intorno 57% latenza inferiore
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.6
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
63
Velocità di lettura, GB/s
11.8
16.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
1863
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVK 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Transcend Information JM3200HLB-16GK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZR 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Super Talent F24SB8GH 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link