RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
27
Intorno -4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.9
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
26
Velocità di lettura, GB/s
11.8
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
3456
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C12 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link