RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
34
Intorno 21% latenza inferiore
Motivi da considerare
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.6
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
34
Velocità di lettura, GB/s
11.8
15.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
3043
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FB 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
Avant Technology J644GU44J1293NF 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3000C15 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD21G800816 1GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link