RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
38
Intorno 29% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.1
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
38
Velocità di lettura, GB/s
11.8
14.1
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
2483
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905624-045.A00G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link