RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
34
Intorno 21% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
34
Velocità di lettura, GB/s
11.8
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
2616
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 99U5701-003.A00G 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FAD1 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link