RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
68
Intorno 60% latenza inferiore
Motivi da considerare
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.4
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
68
Velocità di lettura, GB/s
11.8
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
1924
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston XRGM6C-MIB 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GTZ 4GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link