RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
41
Intorno 34% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.6
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
12800
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
41
Velocità di lettura, GB/s
11.8
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
13.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
25600
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
3073
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link