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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
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Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
27
Intorno -13% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
24
Velocità di lettura, GB/s
11.8
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
2821
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
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Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
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Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
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