RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
39
Intorno 31% latenza inferiore
Motivi da considerare
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.4
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
39
Velocità di lettura, GB/s
11.8
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
10.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
2680
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston XW21KG-MIE-NX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMU32GX4M2D3200C16 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK64GX4M4B3333C16 16GB
Mushkin 991586 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link