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Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
30
Intorno 10% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.8
10.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.0
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
30
Velocità di lettura, GB/s
11.8
10.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
10.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
2587
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
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G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Inmos + 256MB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
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