Confronto tra le RAM Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Punteggio complessivo

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

27 30

Intorno 10% latenza inferiore

Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

14.7 11.8

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

10.7 7.3

Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

23400 12800

Intorno 1.83 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB

SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Temporizzazioni / Velocità di clock

9-9-9-24 / 1600 MHz 19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2057 2935

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns