RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Confronto
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
32
Intorno 16% latenza inferiore
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
7.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
32
Velocità di lettura, GB/s
11.8
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2057
2751
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M378B1G73BH0-CH9 8GB
Mushkin 994052 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link