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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
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Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
42
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
28
Velocità di lettura, GB/s
10.6
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3564
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Confronto tra le RAM
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Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
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