RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Comparar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Pontuação geral
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Relatar um erro
Razões a considerar
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
28
42
Por volta de -50% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
18.1
10.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.8
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
42
28
Velocidade de leitura, GB/s
10.6
18.1
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2423
3564
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200 16GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Relatar um erro
×
Bug description
Source link