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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
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Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
42
Intorno -121% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.5
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.5
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
19
Velocità di lettura, GB/s
10.6
20.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
15.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3665
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
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G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
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