RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
42
Intorno -35% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
31
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3215
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKW 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
SK Hynix V-GeN D3H8GL1600RN 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link