Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB

Differenze

  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    13.5 left arrow 12.4
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    35 left arrow 37
    Intorno -6% latenza inferiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    37 left arrow 35
  • Velocità di lettura, GB/s
    15.8 left arrow 15.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    13.5 left arrow 12.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    25600 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    3075 left arrow 2852
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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