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Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
比较
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB vs SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
总分
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
总分
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
报告一个错误
更快的写入速度,GB/s
13.5
12.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
37
左右 -6% 更低的延时
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
37
35
读取速度,GB/s
15.8
15.8
写入速度,GB/s
13.5
12.4
内存带宽,mbps
25600
25600
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
3075
2852
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB RAM的比较
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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PNY Electronics PNY 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
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