RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
42
Intorno -11% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.8
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
38
Velocità di lettura, GB/s
10.6
14.8
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2536
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FB 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link