RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Confronto
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB vs Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
8.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
37
Intorno -16% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
32
Velocità di lettura, GB/s
14.7
11.9
Velocità di scrittura, GB/s
10.6
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
19200
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2438
1875
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston HP26D4S9S8MH-8 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BQXS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link