RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
42
Intorno -75% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.7
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.1
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
24
Velocità di lettura, GB/s
10.6
19.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
15.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3950
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link