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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
42
Intorno -40% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
10.6
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
30
Velocità di lettura, GB/s
10.6
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2374
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2933C16-8GFX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
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Team Group Inc. UD5-6400 16GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
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