RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Confronto
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
19200
Intorno 1.33% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
19
51
Intorno -168% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.9
15.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.8
11.8
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
19
Velocità di lettura, GB/s
15.6
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
11.8
15.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
19200
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2687
3801
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-2400 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link