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Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
比较
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
总分
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
总分
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
25600
19200
左右 1.33% 更高的带宽
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
51
左右 -168% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
20.9
15.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
15.8
11.8
测试中的平均数值
规格
完整的技术规格清单
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
51
19
读取速度,GB/s
15.6
20.9
写入速度,GB/s
11.8
15.8
内存带宽,mbps
25600
19200
Other
描述
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2687
3801
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
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Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Ramaxel Technology RMUA5110MH78HAF-2666 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
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