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Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
比较
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB vs Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
总分
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
总分
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
44
56
左右 21% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
9.1
8.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
15.5
13.2
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
25600
12800
左右 2 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
44
56
读取速度,GB/s
13.2
15.5
写入速度,GB/s
9.1
8.2
内存带宽,mbps
12800
25600
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
排名PassMark (越多越好)
2302
1964
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB RAM的比较
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Elpida EBJ81UG8EFU0-GNL-F 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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RAM 1
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
最新比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9965640-013.A01G 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GVR 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
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