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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
比较
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
总分
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
总分
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
69
左右 -92% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
10.5
1,857.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
69
36
读取速度,GB/s
4,217.2
14.9
写入速度,GB/s
1,857.7
10.5
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
668
2589
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9965669-008.A03G 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
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