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Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Compara
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Puntuación global
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
14.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
69
En -92% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
1,857.7
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
69
36
Velocidad de lectura, GB/s
4,217.2
14.9
Velocidad de escritura, GB/s
1,857.7
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
668
2589
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR26D4S9S8HJ-8 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
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