RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Сравнить
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
14.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
69
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.5
1,857.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
36
Скорость чтения, Гб/сек
4,217.2
14.9
Скорость записи, Гб/сек
1,857.7
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
668
2589
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FJ 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FA 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link