RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
51
Wokół strony -168% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
19
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3801
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905643-009.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Avant Technology J641GU42J7240ND 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link