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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
10.6
9.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
6.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
42
Intorno -31% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
32
Velocità di lettura, GB/s
10.6
9.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2017
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
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