RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
7.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
62
87
Intorno -40% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
62
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
7.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
1891
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE 8GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link