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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

総合得点
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

総合得点
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V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB

相違点 仕様 コメント

相違点

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB 考慮すべき理由
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    3 left arrow 15.9
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    870.4 left arrow 7.4
    テスト平均値
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB 考慮すべき理由
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    62 left arrow 87
    周辺 -40% 低遅延
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    19200 left arrow 5300
    周辺 3.62 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    87 left arrow 62
  • 読み出し速度、GB/s
    3,155.6 left arrow 15.9
  • 書き込み速度、GB/秒
    870.4 left arrow 7.4
  • メモリ帯域幅、mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    417 left arrow 1891

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Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
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Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
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Kingston 9965589-007.D01G 8GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
メモリRAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3000 8GB
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メモリRAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
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Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
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メモリRAM
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
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Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
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SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
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