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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
45
Intorno 7% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.0
8.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
10600
1900
Intorno 5.58% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.7
10.6
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
45
Velocità di lettura, GB/s
10.6
11.7
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
8.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
1900
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
no data
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2387
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB Confronto tra le RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
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Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
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