Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Wynik ogólny

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Wynik ogólny

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Różnice Specyfikacje Uwagi

Różnice

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

42 45

Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s

9.0 8.4

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

10600 1900

Wokół strony 5.58% większa szerokość pasma

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Powody do rozważenia
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

11.7 10.6

Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Główna charakterystyka

Typ pamięci

DDR3 DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns

42 45
Prędkość odczytu, GB/s

10.6 11.7
Prędkość zapisu, GB/s

9.0 8.4
Szerokość pasma pamięci, mbps

10600 1900

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz no data
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2423 2387

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Najnowsze porównania

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB

Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB

SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Kingston 9965525-018.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB

Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB

Mushkin 991586 2GB

Mushkin 991586 2GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB

Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB

Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Kingston 9905599-020.A00G 8GB

Kingston 9905599-020.A00G 8GB