RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
40
42
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.2
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
40
Velocità di lettura, GB/s
10.6
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
11.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2100
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston CBD24D4U7S8MA-8 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Transcend Information JM2666HLE-16G 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link