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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
比较
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
总分
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
总分
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
差异
规格
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差异
需要考虑的原因
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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需要考虑的原因
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
40
42
左右 -5% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
10.6
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.2
9.0
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
42
40
读取速度,GB/s
10.6
15.0
写入速度,GB/s
9.0
11.2
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2423
2100
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3B1 16GB
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