RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
42
Intorno -31% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
32
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
2751
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Avant Technology W641GU42J9266NB 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9965643-002.A01G 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Mushkin 991586 2GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link