RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Comparez
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Note globale
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
42
Autour de -31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.9
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
42
32
Vitesse de lecture, GB/s
10.6
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
10.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2423
2751
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666S464L19S/8G 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4333C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Golden Empire CL14-14-14 D4-2400 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link