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Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Confronto
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
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Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
42
Intorno -100% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.6
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
9.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
42
21
Velocità di lettura, GB/s
10.6
17.6
Velocità di scrittura, GB/s
9.0
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2423
3126
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15/8G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
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