RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Сравнить
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB против Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
21
42
Около -100% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.6
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
21
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
17.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2423
3126
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Corsair CMY16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-4GSR 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link