RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3875
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
Nanya Technology NT1GT72U8PA0BY-37B 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link