RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.8
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.5
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
19.8
Скорость записи, Гб/сек
12.5
15.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3875
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
SK Hynix HMAA1GU6CJR6N-XN 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link