Confronto tra le RAM Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Punteggio complessivo

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Velocità di lettura più elevata, GB/s

2 16.8

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

2,072.7 15.4

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

32 75

Intorno -134% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

21300 5300

Intorno 4.02 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock

no data 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

858 3579

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns