RAM-Vergleich Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Gesamtnote

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

2 16.8

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

2,072.7 15.4

Durchschnittswert bei den Tests

Gründe für die Berücksichtigung
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

32 75

Rund um -134% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps

21300 5300

Rund um 4.02 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB

Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit

no data 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

858 3579

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns